光芯片行业深度报告：供需缺口持续，国产光芯片厂商成长空间打开

摘要： 本报告系统分析光芯片在光模块中的核心作用及其技术路径（VCSEL、EML、硅光），探讨在 AI 算力爆发与技术升级背景下，全球光芯片的供需格局、行业壁垒及国产厂商的替代机会。

行业主线：

1. 技术路径演进：光模块向 800G/1.6T 迭代，硅光方案凭借低成本、低功耗优势，预计 2026 年渗透率将超 50%。
2. 制造壁垒深厚：光芯片生产涵盖衬底、外延、晶圆制造、测试封装，其中外延与光栅工艺精度要求极高，且核心设备（MOCVD、EBL）和高端衬底被海外垄断，扩产周期长。
3. 需求端强劲驱动：AI 推理需求、数据中心规模扩大及云厂商自研 ASIC 驱动，预计 2030 年全球激光器市场规模有望突破百亿美元。

关键变化与分歧：

1. 供需严重失衡：高端 InP 光芯片供需缺口持续，预计失衡格局将维持至 2027 年，这为国产厂商提供了战略窗口期。
2. 硅光方案成为切入点：CW 光源由于技术壁垒相对较低、扩产周期更短，成为国产厂商快速切入主流供应链的主要方向。

受益方向与风险：

1. 受益方向：能够在高速率 EML、高功率 CW 光源实现突破并加速客户验证的国产光芯片厂商。
2. 核心风险：技术研发与良率提升不及预期、核心设备及衬底供应链受限、下游 AI 资本开支波动及海外巨头竞争加剧。