📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 本报告深入分析了碳化硅（SiC）材料在 AI 浪潮下的新应用催化剂，重点探讨其在 AI 数据中心 800V HVDC 供电架构、超高功率密度先进封装（CoWoS）以及下一代智能眼镜光学系统中的技术优势与产业潜力。
行业主线：
- AI 数据中心供电升级：随着 AI 机柜功率密度飙升，行业向 800V HVDC 高压直流架构过渡，SiC 器件凭借高击穿场强、低开关损耗和高热导率，成为提升端到端效率、降低配电损耗的核心方案。
- 先进封装热管理：在 CoWoS 等高端封装中，SiC 的高热导率和低热膨胀系数有助于降低热点温度、抑制翘曲，有望从散热基座向中介层渗透。
- 端侧 AI 硬件突破：SiC 凭借超高折射率，在衍射光波导方案中可大幅降低镜片厚度并扩大视场角，已在 Meta Orion 等旗舰原型机中得到验证。
关键变化与分歧：
- 应用领域横向扩展：SiC 正从传统的新能源汽车、光伏储能领域，快速扩展至 AI 算力基础设施和消费级 AI 硬件。
- 产业化时间表：800V HVDC 架构目标 2027 年实现规模化商用；SiC 光波导已进入供应链小批量试点和客户认证的关键窗口期。
受益方向与风险：
- 受益方向：重点关注 SiC 衬底材料、单晶生长设备以及高性能陶瓷封装材料等产业链环节。
- 核心风险：AI 应用落地进展不及预期、关键产品研发进度低于预期、市场开拓难度增加。