半导体设备行业简评：存储周期上行与国产替代机遇

摘要： 本报告分析了在 AI 驱动下全球存储芯片进入“超级周期”对半导体设备行业的带动作用，以及在自主可控诉求下国产设备迎来高速增长的机遇。

行业主线：

1. AI 驱动存储超级周期：英伟达 Rubin AI 平台等新产品的推出显著增加对 NAND 等存储需求的量级，导致存储产品供需错配，价格持续上涨。
2. 国产替代空间巨大：受地缘政治风险及出口管制影响，我国晶圆制造设备本土化率较低（2024 年综合率 25%），在光刻机、量检测、涂胶显影等环节国产化迫切。

关键变化与分歧：

1. 存储价格上涨幅度超预期：预计 26Q1 DRAM 和 NAND Flash 合约价将持续上涨，ServerDRAM 季增预计逾 60%。
2. 下游扩产节奏加快：长鑫科技 IPO 受理及大规模募资投向量产线技改，预计 2027 年底前完成大部分设备导入，将直接带动国产设备需求。

受益方向与风险：

1. 受益方向：重点关注国产化率较低的量检测、超声波检测设备，以及刻蚀、薄膜沉积、测试等环节的国内领军企业。
2. 核心风险：国产替代进程不及预期、下游半导体景气度波动、行业竞争加剧或技术迭代风险。