需求爆发+供给刚性，AI驱动存储新周期——海外存储深度报告（一）

摘要： 本报告深入分析了 AI 时代存储芯片的演进趋势，重点探讨高带宽内存（HBM）在 AI 训练与推理中的核心作用，以及全球存储巨头在技术路径、产能扩张和客户验证方面的竞争格局。

行业主线：

1. AI 驱动存储新周期：HBM 因解决带宽瓶颈成为需求弹性最大的存储器，且由于产能“挤占”效应和高技术壁垒，市场呈现卖方主导，涨价趋势预计持续至 2027 年。
2. 竞争维度转移：存储竞争已从传统的“制程领先+海量产能”转向“先进封装良率+头部客户（如英伟达）深度绑定”。
3. HBM4 技术跃迁：下一代 HBM4 将实现基础芯片（BaseDie）从 DRAM 工艺向先进逻辑工艺迁移，显著增强定制化能力并降低功耗。

关键变化与分歧：

1. 封装技术分歧：SK 海力士凭借 MR-MUF 技术在散热和良率上领先；三星坚持的 TC-NCF 技术在多层堆叠时面临良率和散热挑战，导致验证进度滞后。
2. 份额重塑：美光采取激进策略跳过 HBM3 直接押注 HBM3E，成功抢占三星部分份额。
3. 生态绑定：SK 海力士与台积电形成“OneTeam”联盟，通过外包逻辑工艺提升 HBM4 竞争力。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备先进封装能力（MR-MUF 等）的厂商、成功切入 HBM4 供应链的供应商、以及能快速通过逻辑工艺验证的存储厂。
2. 核心风险：极致量化压缩算法（如 TurboQuant）导致存储需求不及预期；国内厂商（如长鑫存储）HBM 进展超预期导致竞争加剧。