关注光模块上游核心材料发展机遇：InP 与薄膜铌酸锂产业研究

摘要： 本报告系统分析了 AI 算力需求驱动下，光模块上游核心材料 InP 衬底与薄膜铌酸锂（TFLN）的发展机遇。随着 800G/1.6T 产品的快速提升及未来 3.2T 时代的临近，高性能核心材料成为光芯片性能提升与成本降低的关键。

行业主线：

1. InP 衬底：作为光芯片的核心原材料，受益于高速光模块需求的快速释放，行业呈现供不应求趋势。目前市场高度集中，技术壁垒高，且正向 6 英寸大尺寸衬底演进以降低成本。
2. 薄膜铌酸锂：相比硅光调制器具备超高带宽、低功耗、低损耗优势，有望在 3.2T 光模块方案中迎来导入窗口期，预计 2031 年相关调制器市场规模可达 3.82 亿美元。

关键变化与分歧：

1. 产能瓶颈与扩产：全球光芯片头部厂商正积极扩充产能，但由于设备采购和爬坡周期长，供不应求态势预计将持续。
2. 技术路线迭代：在单波 400G 调制需求下，薄膜铌酸锂方案的带宽裕度与低驱动电压特性使其在 3.2T 时代比传统方案更具竞争力。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备高纯铟制备、6 英寸 InP 衬底量产能力、光学级铌酸锂晶体国产化突破以及薄膜铌酸锂调制芯片产业化进展的厂商。
2. 核心风险：云厂商资本开支投入不及预期，行业竞争加剧导致产品价格承压。