全球存储技术：存储周期回升、CES 2026 亮点及关键厂商动态分析

摘要： 本报告分析全球存储技术行业，重点探讨三星电子资本支出纪律、DRAM 与 NAND 现货价格的强劲反弹以及 BofA 存储指标的周期性回升，并总结 CES 2026 关于“物理 AI”的趋势。

行业主线：

1. 周期性回升明确：DRAM 和 NAND 现货价格在 2025 年底至 2026 年初大幅上涨，BofA 存储指标显示行业已回归上行周期。
2. 资本支出策略调整：三星电子在扩产中保持纪律，优先确保 HBM 和 eSSD 的产能扩张，传统内存的比特增长维持低位。
3. AI 驱动需求升级：CES 2026 展现了从“生成式 AI”向“物理 AI”的转变，高性能内存芯片在推理机器人和自动驾驶中的应用成为核心。

关键变化与分歧：

1. 价格上涨驱动力：短期现货价格暴涨（部分品种同比涨幅极高）更多基于投机而非实际需求，但 1Q26 的合约价预计将继续上调。
2. 长鑫存储 (CXMT) 份额：2025 年销售额约 80 亿美元，全球 DRAM 市场份额仅约 5%，低于部分市场 10%-15% 的乐观预期，对全球格局影响有限。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备 HBM4 领先优势的厂商（如 SK 海力士、三星电子）、受益于存储周期反弹的产业链公司。
2. 核心风险：现货价格投机泡沫破裂、终端需求恢复不及预期、美国关税政策对消费电子厂商（如 LG 电子）的潜在影响。