全球存储技术周报：三星一季度强劲业绩提升存储行业乐观预期

摘要： 本报告对全球存储芯片行业持乐观态度，认为三星电子 2026 年一季度的强劲初步业绩确认了存储芯片的“超级周期”。报告重点分析了 DRAM、NAND 以及 HBM 的价格走势、AI 驱动的需求增长、技术路线演进及主要厂商的竞争格局。

行业主线：

1. 超级周期确认：受 DRAM 和 NAND 平均售价（ASP）强劲反弹驱动，存储行业进入高增长期，预计 2026-2028 年市场规模将远超此前历史峰值。
2. HBM 需求爆发：AI 训练与推理需求推动 HBM 规模快速扩张，预计 2026/27 年 HBM TAM 将分别达到 810 亿和 1100 亿美元。
3. 技术路径演进：HBM4 及 HBM5 将显著提升接口带宽，Rubin 等下一代 GPU 将推动 HBM 单卡容量迈向 1TB 级别。

关键变化与分歧：

1. 现货价与合约价背离：尽管近期现货价格出现波动或小幅回调，但由于合约价格谈判稳健，二季度 ASP 预计将继续上升。
2. 供应端紧张：主要厂商晶圆厂利用率基本满载，且产能向 HBM 转移，导致传统通用存储供应偏紧。

受益方向与风险：

1. 受益方向：在 HBM 领域具备绝对领先地位的厂商（如 SK Hynix）以及能够成功量产高层数（12/16-hi）HBM 的企业。
2. 核心风险：美国关税政策影响、HBM 技术执行风险、存储芯片价格回调以及中国厂商产能增加。