存储半导体行业月度报告解读：供需短缺与 HBM 价格上涨趋势

摘要： 本次交流重点解读瑞银 (UBS) 2026年4月存储半导体月度报告，讨论在严重供应不足背景下，DDR 价格大幅上涨、长期协议 (LTA) 的签署趋势以及 HBM 市场的竞争格局与需求爆发。

行业主线：

1. 供需严重失衡：存储市场处于严重供应不足状态，DDR 合同价格环比大幅上涨，服务器 DDR5 价格攀升，DRAM 上行周期预计将持续至 2027 年第四季度。
2. 协议模式转变：超大规模云服务商倾向签署 3-5 年长期协议 (LTA) 以锁定供应并嵌入价格区间，旨在提高供应链稳定性，供应商盈利预测将更趋稳定。
3. HBM 驱动增长：受英伟达 GB200、AMD MI300 等 AI 芯片需求驱动，HBM 容量要求不断提高，预计 2027 年 HBM 价格同比涨幅将远超此前预期。

关键变化与分歧：

1. 产能结构调整：SK 海力士将部分 NAND 闪存产能转移至 HBM4，导致 NAND 增长预期受压，显示出 DRAM/HBM 需求的极高优先级。
2. 需求端集中度风险：尽管市场规模快速扩张，但主要由少数几家云服务商买单，存在可负担性问题及资本开支削减的潜在风险。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备 HBM 量产能力及高市场份额的存储巨头（三星、SK 海力士、美光）；AI 基础设施扩容带来的内存需求增长。
2. 核心风险：宏观经济不确定性；大客户需求曲线改变或减少开支；行业整体可负担性问题。