英伟达 Vera Rubin 重构 AI 存储层级,NAND 有望成为通胀品

机构研报 行业研究 / 行业深度专题 申万: 半导体 香农芯创 (300475.SZ) 德明利 (001309.SZ) 兆易创新 (03986.HK) 兆易创新 (603986.SH) 普冉股份 (688766.SH) 同有科技 (300302.SZ)
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摘要: 本报告分析了英伟达新一代 AI 超级计算平台 Vera Rubin 对存储架构的重构,重点探讨其如何通过 HBM-DRAM-NAND 三层存储金字塔架构解决 Agentic AI 时代的“内存墙”与 KV Cache 存储瓶颈,并指出存储产品(尤其是 NAND)有望进入价格上涨周期。

行业主线:

  1. 存储架构重构:Rubin 平台引入 BlueField-4 驱动的第三层推理上下文内存存储平台,大幅提升每秒处理 token 数,将存储从单纯的“高速缓存”转变为系统吞吐的硬约束。
  2. 产品端升级:HBM4 接口宽度倍增,带宽提升至前代 2.8 倍;Vera CPU 升级 LPDDR5X 以支持高效 KV 缓存卸载。

关键变化与分歧:

  1. 价格趋势:服务器端高端 DRAM 进入“AI 优先”的结构性涨价周期;NAND 预计在云服务商和 AI 应用需求驱动下,2026 年价格将出现两位数百分比上涨,成为与 GPU 数量线性相关的通胀品。
  2. 毛利提升:HBM4 的单价显著提升,有望明显带动原厂毛利率。

受益方向与风险:

  1. 受益方向:海外存储龙头(海力士、三星、美光、闪迪、铠侠)以及国内存储产业链相关标的(香农芯创、德明利、兆易创新、普冉股份、同有科技)。
  2. 核心风险:供需节奏不及预期、行业竞争加剧、技术迭代不及预期。