📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 本报告分析 2026 年 4 月存储半导体市场，重点探讨在严重供应短缺背景下的长期协议（LTA）谈判及 HBM 价格走势，并上调 DDR 和 NAND 的合约价格预测。
行业主线：
- 价格上行趋势明确：DRAM 上行周期预计将持续至 2027 年第四季度，NAND 周期峰值推迟至 2027 年第三季度。
- 合约模式转变：超大规模云服务商倾向于签署 3-5 年的 LTA，通过锁定成交量和设定价格区间来降低价格波动风险。
- HBM4 技术迭代：HBM4 认证周期已开启，各厂商正推进针对 Nvidia Rubin 平台的验证。
关键变化与分歧：
- 产能分配影响周期：由于 YMTC 将部分产能从 NAND 转向 DRAM，影响了 NAND 的供应预期和周期峰值判断。
- HBM4 份额分布：预计 SK 海力士、三星和美光在 HBM4 市场的份额分布分别为 60%、30% 和 10%。
受益方向与风险：
- 受益方向：重点推荐 SK 海力士、三星电子、美光科技和南亚科技。
- 核心风险：地缘政治与宏观环境不确定性、存储产品的可负担性风险、以及技术迁移速度低于预期的风险。