存储芯片月度研究：严重缺货下的长协与HBM定价博弈

摘要： 本报告分析了存储芯片行业在严重缺货背景下的定价博弈，重点探讨了DDR和NAND的合同定价上调、长期协议（LTA）的修订以及HBM4的认证进展，并对相关存储厂商的投资价值进行了评估。

行业主线：

1. 定价预期上调：由于供应严重不足，上调2026年Q1 DDR和NAND的合同定价预期。预计DRAM的上升趋势将持续至2027年Q4，而NAND的市场高峰时间点推迟至2027年Q3。
2. 长期协议（LTA）机制演变：大型云计算服务商及OEM客户倾向于签署3-5年的长期协议，覆盖量可能超过总订单的50%，通过设定价格区间来降低价格峰值并提升谷底稳定性。
3. HBM4技术迭代：HBM4供应商正积极争取Nvidia Rubin项目的认证。预计2027年起，HBM产品相对于DDR的价格优势将进一步扩大，整体价格预期上调。

关键变化与分歧：

1. 产能分配偏移：长江存储将部分新增产能从NAND转向DRAM，影响了NAND的供应节奏。
2. 现货价格与基本面分歧：投资者担忧DDR现货价格近期走软，但报告认为基本面需求（如Groq 3带来的增量）依然强劲，DRAM相关股票具备长期上涨空间。

受益方向与风险：

1. 受益方向：重点推荐SK海力士和三星电子，同时关注美光科技和南亚科技。
2. 核心风险：地缘政治和宏观经济的不确定性、内存产品价格的稳定性、技术升级速度低于预期以及宏观经济恶化导致的需求下降。