碳化硅优于氮化镓：上调天岳先进评级至增持

摘要： 摩根士丹利在该报告中对比分析了碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）的技术路径与市场前景，认为 SiC 具有更明确的竞争格局和渗透率提升空间。报告将天岳先进（SICC）的评级从“持平”上调至“增持”，同时维持英诺赛科（InnoScience）“持平”评级。

核心观点/结论：

1. 天岳先进（SICC）：基于其在 SiC 衬底领域的技术领先地位、上海和马来西亚产能的扩张以及电动汽车（EV）端 SiC 渗透率的持续提升，将其评级上调至 Overweight（增持），上调目标价至 99.4 元。
2. 英诺赛科（InnoScience）：认可其在 GaN 市场的技术领导力，但考虑到行业竞争激烈、产能过剩风险以及市场预期过高，维持 Equal-weight（持平）评级，下调目标价至 69 港元。

经营与财务要点：

1. SiC 市场：SiC 衬底市场份额向领先厂商集中。天岳先进在 6 英寸/8 英寸衬底价格下跌背景下，营收表现比 Wolfspeed 更有韧性，预计 2025-27 年营收复合增长率为 30%。
2. GaN 市场：英诺赛科在 AI 数据中心（AIDC）的 800V GaN 方案有较高潜力，但量产节奏预计在 2027 年，短期内消费电子应用可能受内存价格上涨影响。

催化剂与风险：

1. 催化剂：8 英寸衬底产能快速爬坡；NVIDIA 800V HVDC 方案的认证通过及订单落地；EV 市场 SiC 渗透率超预期提升。
2. 风险：SiC 衬底价格进一步大幅下跌；宏观经济低迷导致 EV 销量下滑；AIDC 等新兴应用落地节奏慢于预期。