Semicon 调研回顾：AI 驱动半导体设备升级与 MicroLED 光互联趋势分析

摘要： 本次会议分享了关于 Semicon 展会的调研结果以及 MicroLED 在数据中心光互联领域应用的深度分析。会议重点探讨了 AI 需求如何拉动半导体设备（尤其是前道刻蚀、薄膜沉积）的资本开支周期，以及 MicroLED 作为低功耗互联方案的潜在技术路径。

行业主线：

1. 半导体设备资本开支加强：AI 需求爆炸式增长拉动算力及外围模拟、电源芯片需求，存储领域（HBM、3D DRAM）扩产预期持续加强，预计 2026-2029 年将进入新一轮扩产周期。
2. 技术路线升级：制造工艺由平面向 3D 演进，带动高选择比、高深宽比刻蚀设备及薄膜沉积设备需求大幅增强；先进封装（3DIC、TSV、混合键合）成为核心竞争方向。
3. MicroLED 光互联展望：MicroLED 方案凭借低功耗（较激光方案可降低 68% 功耗）和低成本优势，有望在 2-3 年内进入数据中心中短距离互联场景的量产验证。

关键变化与分歧：

1. 订单模式转变：部分设备厂商开始采用 3-5 年长期框架协议锁定供应，交期拉长。
2. MicroLED 阶段性判断：目前方案仍处于早期理论设计与小量打样阶段，成熟度较低，但其“宽而慢”的传输思路为解决电力瓶颈提供了新方向。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备高深宽比刻蚀能力的前道设备商、先进封装键合设备厂商、MicroLED 产业链上游（芯片、TR 微透镜、CMOS 传感器）。
2. 核心风险：宏观环境波动、MicroLED 技术量产进度低于预期、国产设备验证节奏不及预期。