DRAM 短缺推动产能扩张：ASML 与日本半导体设备研究

机构研报 行业研究 / 行业深度专题 申万: 半导体设备
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📰 研报摘要

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摘要： 本报告分析了生成式 AI（包括 HBM 和 DDR）驱动的 DRAM 需求激增如何导致供需缺口扩大，进而促使内存厂商加速产能扩张并提高资本开支，这将显著提升半导体前道设备（WFE）厂商的业绩预期。

行业主线：

  1. 产能扩张加速：受 AI 服务器需求推动，DRAM 价格上涨，三星、SK 海力士和美光均在提前推进洁净室建设和设备迁入，预计 2026-2028 年行业月度晶圆产能将显著增加。
  2. 设备需求上行：DRAM 产能扩张直接拉动 EUV 光刻机及其他 WFE 设备的订单量。

关键变化与分歧：

  1. ASML EUV 出货预期上调：预计 2028 年 ASML 向 DRAM 领域出货的 EUV 机器将达到 44 台，是 2025 年（18 台）的两倍以上。
  2. 资本开支规模突破：预计 2028 年全球（除中国外）DRAM WFE 支出将增至 760 亿美元，远高于此前 510 亿美元的内部预测。

受益方向与风险：

  1. 受益方向：重点推荐 ASML（欧盟半导体 Top Pick）、东京电子（Tokyo Electron）以及 Kokusai Electric（日本半导体设备 Top Pick）。
  2. 核心风险：美国贸易限制导致全球半导体资本开支受损、半导体需求增长放缓、汇率大幅波动以及中国本土设备替代进程加速。