DRAM 短缺引发扩产潮对日欧半导体设备商的影响分析

摘要： 本报告分析了生成式 AI 驱动的 HBM 和 DDR 需求激增导致的 DRAM 供需缺口，以及由此引发的存储芯片制造商（三星、SK 海力士、美光）加速产能扩张的趋势。该趋势将显著提升晶圆厂设备（WFE）的需求，特别是对 EUV 光刻机及日本半导体设备供应商产生积极影响。

行业主线：

1. 产能扩张加速：由于供需差距扩大，DRAM 厂商正大幅提前洁净室建设和设备迁入时间。预计 2026-2028 年全球（除中国外）DRAM WFE 支出将显著增长，2028 年可能达到 760 亿美元。
2. 需求驱动因素：AI 服务器对 HBM 和 DDR 的强劲需求促使厂商签署长期合同（LTA/SCA），增强了资本开支的可见度。

关键变化与分歧：

1. 扩产节奏超预期：SK 海力士 M15X 和 Y1 厂、三星 P4 和 P5 厂以及美光的美国和日本新厂建设均出现提前或规模扩大的迹象。
2. 技术节点升级：向 1c 和 1d 节点的迁移将增加光刻强度，单次 100k 产能所需的 EUV 机器数量将从 6 台增加至 7-8 台。

受益方向与风险：

1. 受益方向：重点看好 ASML（EUV shipment 预测上调）、东京电子（Tokyo Electron）和 Kokusai Electric。
2. 核心风险：美国贸易限制政策、中国市场过度库存、全球半导体需求增速低于预期以及技术迁移进度放缓。