全球存储市场展望：2028年 TAM 预计超万亿美元，五年上行周期在望

摘要： 本报告分析了全球存储市场（DRAM、NAND、HBM）的长期趋势，认为市场正处于一个为期五年的上行周期，预计到 2028 年总可寻址市场（TAM）将突破 1 万亿美元，且未来 24 个月将维持供需短缺状态。

行业主线：

1. AI 驱动需求升级：AI Agent 和物理 AI 将驱动新一波存储需求，预计到 2028 年 AI 相关存储的价值份额将升至 53%，其中 HBM 和系统内存是核心增长点。
2. 供需周期延长：由于供应充足率处于极低水平，价格强势将持续，预计 2024-2028 年价格将连续五年上涨。
3. 商业模式演变：长期供应协议（LTA）的签署有助于提高业绩可见性，成为中长期重新估值的因素。

关键变化与分歧：

1. LTA 的有效性：市场对客户在下行周期是否履行 LTA 协议存在分歧，但报告认为 LTA 的出现证明了未来 12 个月内存价格处于高位。
2. 技术路径影响：分析 GTC 2026 相关技术认为，SRAM 的新应用与 DRAM 互补而非替代，对现有 DRAM 需求影响有限。
3. 地缘政治风险：关注卡塔尔氦气供应短缺对韩国厂商的影响，但认为现有库存可支撑 3-4 个月，短期影响有限。

受益方向与风险：

1. 受益方向：看好顶级存储方案提供商、eSSD 份额受益者以及存储前道设备（WFE）供应商。
2. 核心风险：AI 资本开支因变现问题放缓、AI 算法突破导致存储强度降低、以及中国存储供应商的产能和生产率突破。