全球内存市场分析：预计2028年规模超万亿美元且五年上行周期在望

摘要： 本报告对全球内存（DRAM和NAND）市场进行了全面分析，预测到2028年市场规模（TAM）将突破万亿美元。报告认为内存行业正处于一个长期上行周期，供需紧缺状态预计将持续至2028年，推动价格连续五年上涨。

行业主线：

1. AI需求驱动规模扩张：AI Agent和物理AI（Physical AI）将驱动下一波内存需求，AI相关价值份额预计到2028年将升至53%。
2. 供需格局偏紧：由于供应充足率处于历史低位，内存价格走势强劲，行业营业利润率（OPM）有望大幅提升。
3. 周期性上行：预计2024-2028年为五年上涨周期，且长期协议（LTA）将增加业绩可见度。

关键变化与分歧：

1. LTA的效力分歧：投资者对长期协议在下行周期中能否被履行持有分歧，但目前LTA的讨论反映了短期内内存价格的高位运行。
2. 技术演进影响：Nvidia在GTC 2026发布的SRAM方案被认为与现有内存互补而非替代，对DRAM需求影响有限。
3. 外部风险关注：地缘政治导致的氦气（Helium）供应风险被提及，但短期内厂商库存充足，影响可控。

受益方向与风险：

1. 受益方向：看好顶尖内存解决方案供应商（如三星电子、SK海力士）、eSSD份额增长者（如Kioxia）、内存设备供应商（如东京电子）以及控制器方案商（如Silicon Motion）。
2. 核心风险：AI资本开支放缓、AI算法突破导致内存强度下降、以及中国内存供应商产能与效率的快速突破。