AI 数据中心供电革命：从白区 GaN 到灰区 SiC 深度研究

本报告深度探讨了 AI 数据中心供电架构从传统 AC 向 800VDC 及中压直转演进过程中，第三代半导体功率器件（SiC 与 GaN）的量价增长逻辑。报告建立 Phase 0 至 Phase 4 的工程建模框架，分析了从 PSU、Sidecar、800V DC-DC 到 SST（固态变压器）的链路变迁。研究指出，随着 AI 机架功率密度向 1MW 迈向，SiC 的应用从白区高压入口向灰区集中整流、SSCB 及 SST 扩展，耐压要求由 650V/1200V 向 3.3kV 升级；GaN 则凭借高频特性向 IBC、PDB 及 GPU 近端 VRM 渗透，带来显著的数量与价值弹性。核心投资结论建议优先配置具备系统方案能力与大客户导入进展的龙头标的，主要风险包括 800VDC 落地不及预期、架构假设偏差及产能释放导致 ASP 下行等。