大中华区科技半导体：看好碳化硅（SiC）胜于氮化镓（GaN）

摘要： 本报告分析了大中华区半导体领域中碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）的竞争格局与投资机会，重点对天岳先进（SICC）和英诺赛科（Innoscience）进行评级及估值更新，结论认为 SiC 的竞争力及市场份额增长潜力目前优于 GaN。

核心观点/结论：

1. 上调天岳先进 (SICC) 至增持 (OW)：基于竞争格局明朗化及全球市场份额持续提升，预计 2026 年 P/B 将升至 6.7x，目标价上调至 99.4 元。
2. 维持英诺赛科 (Innoscience) 为等权重 (EW)：尽管技术领先，但面临激烈的行业竞争和潜在的产能过剩，目标价下调至 69 港元。
3. SiC 渗透率提升：预计电动汽车（EV）中 SiC 渗透率将从 2025 年的 37% 提升至 2027 年的 45%。

经营与财务要点：

1. 天岳先进：通过上海和马来西亚产能扩建提升全球份额；虽然 8 英寸衬底价格面临压力，但公司技术突破可降低成本，有望维持毛利率稳定。
2. 英诺赛科：2026 年营收指引有所下调，预计 AI 数据中心（AIDC）相关 GaN 产品在 2026 下半年通过认证，放量将在 2027 年，短期仍将维持亏损。

催化剂与风险：

1. 催化剂：电动汽车销量超预期、SiC 在 AR 眼镜及 AIDC 等新应用场景落地、获得更多全球 IDM 客户的长期协议。
2. 风险：SiC 衬底价格跌幅超预期、宏观经济导致电动汽车需求下滑、新应用领域渗透不及预期。