全球存储市场：2QCY26价格涨幅超预期研究报告

摘要： 本报告深入分析全球存储市场（DRAM、NAND及HBM）的价格走势与供需格局。核心观点认为 2QCY26 存储价格涨幅将超出市场预期，价格周期预计在 1HCY27 见顶，随后在 2HCY27 及 2028 年进入下行周期。

行业主线：

1. 价格上涨超预期：受 CSP（云服务提供商）强劲需求推动，且消费端需求破坏延迟，预计 2QCY26 DRAM 和 NAND 的综合 ASP 将分别环比上涨 47% 和 60%。
2. 周期趋势预测：价格预计在 2026 年下半年继续温和上涨，于 2027 年上半年见顶。由于技术升级及中国产能释放，价格将在 2027 年下半年开始加速下跌。
3. HBM 竞争格局：HBM 需求持续增长，三星在 HBM4 的技术路径和产能布局上具备竞争优势，有望提升市场份额。

关键变化与分歧：

1. 供需失衡程度：报告认为当前供应缺口依然显著，即便有长期合同（eLTA），也难以完全锁定未来价格波动。
2. 估值逻辑分歧：尽管未来两年盈利将爆发式增长，但由于记录级的盈利难以持续且现金占比过高，报告建议对相关厂商的 PB 估值倍数进行下调。

受益方向与风险：

1. 受益方向：维持对三星电子、SK海力士和美光的“跑赢”（Outperform）评级，上调其目标价。
2. 核心风险：价格上涨环境提前结束、中国存储厂商产能扩张压力、消费端需求回升不及预期。