光伏泛半导体系列：底层材料与工艺同源，设备及材料龙头打开第二成长曲线

本文系统分析了光伏企业向半导体领域转型的底层逻辑、路径与重点标的。认为光伏与半导体在PN结原理、硅基材料基础（如改良西门子法）及制造工艺（如拉晶、薄膜沉积、图形化）上具有高度共性，具备平台能力的企业更易通过工艺迁移实现突围。设备端重点推荐迈为股份（布局高选择比刻蚀与ALD设备）、帝尔激光（聚焦TGV玻璃通孔设备）和奥特维（拓展CMP设备及光模块AOI检测），并关注高测股份、捷佳伟创和拉普拉斯。材料端重点推荐福斯特（中高端感光干膜放量）和聚和材料（布局空白掩模板及光刻材料），同时分析了TCL中环（半导体硅片）、欧晶科技（半导体石英坩埚）及奥莱德（PSPI材料）的进展。整体建议关注研发能力强、已获头部客户验证且财务稳健的平台型龙头。