📰 研报摘要
查看全文 ➔摘要： 本报告认为存储行业正迎来由 AI 大模型驱动的超级景气周期。AI 技术迭代导致全球 Token 消耗量爆发式增长，直接推高对 HBM、DRAM 和 NAND 的需求。与此同时，原厂产能向高利润产品倾斜且扩产谨慎，导致短期供给刚性，存储价格预计在 2026 年延续上涨趋势。
行业主线：
- AI 驱动需求爆发：生成式 AI、多模态应用及长上下文推理（如 KV Cache 增加）使存储需求从容量驱动转向“性能+架构+能效”驱动，尤其是 HBM 和 DDR5 需求旺盛。
- 供给端结构性紧缺：原厂将有限产能向 HBM 等高端产品倾斜，挤压低端存储产能；且洁净室建设周期长、良率爬坡难，短期供给无法快速跟上需求。
- 国产产业链崛起：国内企业依托架构创新与工艺迭代，在 AI 算力、消费电子等领域实现突破，推动中国存储向技术引领转型。
关键变化与分歧：
- 需求端量级跃升：2026 年主要大模型 Token 消耗量较 2025 年同期增长 10 倍以上，数据中心存储需求从 TB 级跃升至 PB 级。
- 供给端库存极低：原厂库存已降至 3-5 周的历史低点，赋予原厂极强的商业谈判主动权。
- 技术路线演进：行业正全力发力 HBM4 及 3D NAND 的混合键合（Hybrid Bonding）等前沿技术，以匹配未来大模型对带宽和容量的极致要求。
受益方向与风险：
- 受益方向：高端 HBM/DDR5 产业链、具备先进封测能力的厂商以及国产存储替代标的。
- 核心风险：AI 发展不及预期导致 Capex 下修、存储价格因投机炒作过度而回调、研发进展不及预期的风险。