microLED 在光通信领域的应用专家交流纪要

摘要： 本次会议邀请专家探讨 microLED 在光通信领域的应用前景，详细对比了其与传统激光器、铜缆在传输速率、功耗及稳定性方面的差异，并分析了当前量产的工艺瓶颈、成本构成及产业链关键设备供应商。

行业主线：

1. 技术优势明确：microLED 通过面光元阵列实现大规模集成（单通道 2-15Gbps，可集成数百至上千个），在功耗上远低于铜缆（约 2-3W），且稳定性及热稳定性优于激光器。
2. 应用场景：主要面向几米至 50 米的短距离传输，旨在替代部分铜缆传输，提升带宽并降低功耗。

关键变化与分歧：

1. 产业化节奏：目前处于实验室向产业化过渡阶段，小规模出货已存在，预计 2027 年下半年至 2028 年初将迎来大规模产业化突破。
2. 核心瓶颈：关键挑战在于“巨量转移”工艺的良率（需达到 99.999% 以上）和效率，以及共封装（CPO）中的对准精度和 3D 堆叠工艺。
3. 成本结构：目前成本高于传统激光模块（如 800G 模块约 800-1000 元），主因是良率低，理论上大规模量产后成本将低于激光方案。

受益方向与风险：

1. 受益方向：产业链上游的 MOCVD 外延生长设备、刻蚀设备（如北方华创、应用材料）及巨量转移设备厂商。
2. 核心风险：工艺良率提升缓慢导致成本下降不及预期，或产业化落地时间点延后。