存储厂商调研：供应、HBM、价格、LTA与技术路线

本次调研聚焦存储厂商的供应、价格及技术路线。产能方面，DRAM位增长由1B至1C节点迁移及新厂投产驱动，三星P4/P5厂与SK海力士龙仁基地将逐步贡献产能。HBM领域，产品正由HBM3E向HBM4/4E演进，虽晶圆消耗量大且制造周期延长，但需求强劲，预计2028-2029年无明显过剩担忧。价格方面，HBM价格随代际升级温和上涨，传统DRAM在2026年大幅上涨后预计于2027年趋稳，拐点或在2027年底出现。长期协议（LTA）覆盖率显著提升，有效降低了厂商的库存积压与价格折扣风险。竞争格局上，SK海力士凭借良率与生态优势领先，三星份额有望提升，长鑫受限于EUV设备无法在先进存储领域构成威胁。设备端，HBM生产复杂度的提升利好专注于后端的检测与计量厂商（如Camtek、Onto Innovation）。