📰 研报摘要
查看全文 ➔本报告深入分析了全球存储原厂（美光、海力士、三星、铠侠等）及国内厂商（长鑫存储、长江存储）的扩产计划、资本开支结构及产能释放节奏。核心结论认为，存储行业供需失衡格局短期难以改变，2026-2027年新增产能释放有限，DRAM尤其是HBM在高需求挤占下，2027年供需缺口可能进一步扩大；NAND扩产纪律性更强，预计呈现紧平衡。受新建厂房建设周期影响，资本开支传导至有效产能需2-3年，行业供给增量主要集中在2028年后。报告指出，存储行业正经历从周期性消费电子驱动向AI结构性需求驱动的转型，长期协议的覆盖提升将平抑周期波动。投资建议上，优先关注HBM及先进DRAM敞口较高的存储原厂，后续重点关注HBM供应价格谈判、原厂股东回报方案披露及合约价走势。