AI服务器DrMOS及供电架构专家交流纪要

摘要： 本次会议重点讨论了AI服务器中DrMOS（Driver-MOSFET）的技术演进、VRM供电架构的变化，以及从NVIDIA Hopper到Blackwell、Rubin架构的电源管理升级路径。

行业主线：

1. 功耗提升驱动硬件升级：GPU单颗功耗从700W增至1.2kW甚至2.3kW，导致DrMOS需求量增加且单颗电流等级提升（从90A向100A-110A演进），散热方式由风冷转向液冷以维持效率。
2. 供电架构演进：讨论了从离散方案向模块化方案（Power Module）的趋势，以及垂直供电（Vertical Power Delivery）和集成电压调节器（IVR）在解决PCB空间限制和降低损耗中的作用。
3. 电压转换链路优化：未来趋势可能由“800V $\rightarrow$ 48V $\rightarrow$ 12V $\rightarrow$ 0.8V”简化或优化，探讨了800V直接转12V在计算托盘中的应用可能性。

关键变化与分歧：

1. 离散 vs 模块化：英伟达目前坚持离散方案以降低成本，而AMD及部分国产AI芯片厂商更倾向于模块化方案。
2. GaN的应用：氮化镓（GaN）在低压端（12V转1V）因效率和干扰问题短期难以商用，但在高压端（800V转低压）具有较高潜力，预计2028-2029年成本将与硅基接近。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备高电流DrMOS设计能力、能进入顶级CSP供应链的模拟芯片厂商；能够提供高功率密度800V转12V模块的电源厂商。
2. 核心风险：技术路线切换风险（如IVR成熟度不及预期）、国产供应商进入海外头部供应链的门槛较高、高频开关带来的信号完整性挑战。