海外存储原厂扩产计划与供需测算交流纪要

本次会议分析了全球存储原厂的扩产计划、产能释放节奏及供需格局。核心结论认为，2026-2027年新增供给有限，2028年将进入产能集中释放期。DRAM受HBM4挤占效应影响，2027年缺口可能比2026年进一步扩大；NAND则预计较早达到供需平衡。资本开支方面，美光、海力士等原厂投入处于历史高位，且因新建晶圆厂占比提升，产出周期拉长至2-3年。国内长鑫存储和长江存储扩产斜率较陡，其中长江存储国产设备采购占比首次突破50%。投资观点认为，存储行业正由消费电子驱动转向AI驱动，长期协议（LTA）将降低盈利波动，行业估值框架有望从传统的周期股切换为基于AI投入要素和资本回报的逻辑。