📰 研报摘要
查看全文 ➔本文系统梳理了 2026-2029 年全球五大存储原厂的扩产规划与供需格局。报告指出，受 HBM4 产能挤占效应增强及通用 DRAM 增量有限影响，DRAM 供需缺口预计在 2027 年进一步扩大，紧平衡态势将持续至 2029 年。尽管 2026 年起行业进入资本开支跳增周期，但因新建厂房土建周期较长，实际产能放量主要集中在 2028-2029 年。商业模式上，存储行业正由周期性成本项向 AI 核心投入要素转型，长协覆盖度提升将平抑价格波动。文中分析了各厂商的产能策略：SK 海力士聚焦 HBM 产能腾挪，三星通过 1c 制程转换与多项目推进扩产，美光受益于芯片法案实现激进扩张，国产厂商长鑫存储与长江存储产能份额亦稳步提升。当前板块估值处于低位，建议重点关注 HBM 与先进 DRAM 敞口厂商，并跟踪 2027 年 HBM 协议定价、原厂股东回报方案及季度合约价波动。