全球存储技术周刊：DRAM 现货市场强劲与存储芯片估值逻辑切换

摘要： 本报告分析了全球存储技术市场的最新动态，重点探讨新加坡投资者情绪、DRAM 与 NAND 现货价格走势，以及韩国存储产业链核心公司的经营状况与估值切换。

行业主线：

1. 存储市场走势分化：DRAM 现货价格在春节后表现强于预期，主要受 OEM 厂商新款 PC 和智能手机（如三星 S26）内存规格提升驱动；相比之下，NAND 价格则保持平稳。
2. 估值逻辑切换：分析师建议将存储芯片公司的估值基准从 P/B 转向 P/E，认为在 AI 驱动的业绩高增长和 ROE 提升背景下，P/E 估值更能体现其上涨潜力。

关键变化与分歧：

1. 需求端支撑：三星 S26 Ultra 等旗舰机型提升了 DRAM 配置，且 NVIDIA 新一代 GPU/CPU（尤其是 HBM4 和 LPDDR5）的推出带来了积极影响。
2. 供给与出口动态：韩国半导体出口在 2 月份创历史新高，存储芯片价格在 1 月至 2 月维持上涨势头。

受益方向与风险：

1. 受益方向：预计受益于海力士（Hynix）分红大幅增加的 SK Square；以及在 TCB 领域具备市场主导地位的韩美半导体（Hanmi Semi）。
2. 核心风险：美国科技巨头 AI 资本开支放缓导致存储周期硬着陆；竞争对手激进扩产导致份额损失。