长鑫科技深度报告：国内存储龙头深度受益存储超级周期

本报告深度分析了国内 DRAM 龙头长鑫科技的竞争优势与行业前景。公司作为国内规模最大、技术领先的 DRAM 研发设计制造一体化企业，采取“跳代研发”策略，产品线覆盖 DDR4/DDR5 及 LPDDR 系列，且已切入国内主流 CSP 及消费电子供应链。报告认为，AI 推理需求爆发是存储市场的核心增长引擎，供需持续紧张态势有望延续至 2027 年。尽管消费电子需求短期承压，但 AI 服务器对高性能 DRAM 及 HBM 的拉动作用显著，推动存储行业进入超级周期。长鑫科技凭借产能扩张与技术迭代，在全球市场份额持续提升。测算显示，2026-2028 年 DRAM 供需缺口将持续存在，支撑产品价格上涨预期。核心风险包括下游需求波动、行业竞争加剧、技术研发不及预期及研发人才流失。