存储行业 AI 驱动超级周期交流纪要

摘要： 本次会议重点探讨存储行业在 AI 驱动下的“超级周期”逻辑，分析了存储芯片的供需错配、价格走势以及技术工艺升级带来的设备增量。

行业主线：

1. AI 驱动的超级周期：存储行业正处于由 AI 驱动的长期上行周期，不同于以往 3-5 年的小周期，本轮被定义为以 10 年为单位的超级周期，天花板极高。
2. 供需结构性错配：云端训练和推理拉动 HBM、DDR5 和 SSD 需求，导致产能向高世代产品集中，造成低世代（如 DDR4）存储出现结构性缺口并引发价格猛涨。
3. 技术迭代驱动：3D NAND 层数堆叠增加、4F 技术升级以及 CBA（芯片与逻辑电路分造后封装）等新技术，将显著带动刻蚀、沉积及键合设备的需求增长。

关键变化与分歧：

1. 产能释放节奏：海外原厂 2026 年产能预定饱和，国内扩产（如长鑫）预计在 2027 年才能逐渐释放，短期内供需格局将继续驱动价格上涨。
2. 端侧爆发预期：目前增长主由云端服务器驱动，若端侧 AI 突然爆发，将带来额外的需求增量。

受益方向与风险：

1. 受益方向：国产半导体设备（尤其是刻蚀、沉积、键合环节）、存储模组及芯片设计公司。
2. 核心风险：端侧应用落地节奏低于预期、扩产进度受限、市场流动性不足。