📰 研报摘要
查看全文 ➔报告深入分析了 AI 算力需求爆发对 HBM（高带宽存储）及其产业链的拉动效应。随着 AI 模型参数量与 Token 调用量的高增长，GPU 与 HBM 需求呈量价齐升态势，全球存储厂商正进入扩产周期，且 AI 导致存储晶圆产能被挤占，加剧了 DRAM 供需紧平衡。报告测算存储制造设备中，刻蚀、薄膜与量检测设备资本开支占比超过 50%，预计将成为存储扩产周期的核心受益环节。同时，国内外存储厂商（包括长鑫存储、长江存储）市占率稳步提升，国产设备平台化布局加速，北方华创、中微公司等头部厂商在刻蚀与薄膜沉积领域优势显著。投资策略上，重点推荐前道及后道半导体设备、零部件厂商，同时关注国产化进程带来的替代成长空间。