半导体设备国产化机遇及先进制程扩产分析交流纪要

本次交流重点讨论2026-2027年国内半导体设备国产化机遇。在制程方面，华虹与中芯国际向7nm(N+1)等先进制程演进，存储领域长存与长鑫扩产提速，带动量测、刻蚀及薄膜设备需求倍增。量测设备方面，国产化率约7-8%，中科飞测（主攻存储OCD）与上海精测（主攻逻辑膜厚）占据国产市场主导地位；随着节点演进，7nm量测设备需求约为28nm的三倍。薄膜设备中ALD成为趋势，拓荆科技、微导纳米等已实现部分供应。后道测试领域，AI GPU提升了测试设备的需求量与单价，长川科技与华峰测控在SoC测试领域处于领先地位。此外，文中还分析了真空腔体（富创精密）、管阀件（新莱应材）等核心零部件的国产化进展。