DRAM 存储超级周期与 HBM4 技术竞争专家访谈纪要

本次会议围绕 DRAM 存储行业超级周期及 HBM4 技术竞争展开。会议认为 DRAM 已进入超级周期，2026-2027 年价格将持续走高，且 LTA 长期协议占比显著提升以锁定供应。在 HBM4 领域，三星通过采用更先进的 4nm 基础裸片和 1beta 工艺，在引脚速度上取得突破（达 11.7Gbps），有望满足英伟达 Rubin 平台的高标规格并重塑市场地位。产能方面，尽管三星、SK海力士与美光激进扩产，但受 HBM 良率损耗影响，实际位元增长有限。同时，长鑫存储与长江存储产能扩张迅速，预计 2028-2030 年将对全球供应构成威胁。技术路径上，会议讨论了 TC 键合与 MR-MUF 的优劣，指出混合键合量产挑战巨大，厂商短期内倾向于通过提升引脚速度而非盲目增加堆叠层数来满足性能需求。