高盛韩国存储器专家电话会纪要：DRAM 价格与 HBM 前景展望

本文为高盛举办的韩国存储器专家电话会纪要，重点探讨了存储器市场的发展趋势。核心观点包括：DRAM 价格预计将在 2026 年三季度和四季度持续实现双位数增长；HBM 需求强劲，预计明年价格有望翻倍；长协（LTA）通过预付款及“取之或支付”条款增强了需求约束力。此外，专家认为中国存储器厂商在短期至中期内构成的威胁有限，产能扩充虽快但因 HBM 占比提升导致有效位增长（bit growth）受限。技术路线方面，混合键合（hybrid bonding）的普及将较为缓慢。高盛重申对三星电子的买入评级，预计其受益于存储器价格上涨和 HBM 进展，维持其目标价。