存储芯片行业交流纪要：DRAM超级周期与 HBM4 技术趋势

本次会议由高盛举办，邀请前三星专家探讨存储芯片行业趋势。会议指出 DRAM 已进入超级周期，预计 2026-2027 年 ASP 将大幅上涨，且长期协议（LTA）占比升至 30%-40% 以锁定供应。在 HBM4 方面，三星凭借 11.7Gbps 的引脚速度在技术上取得突破，成为唯一满足英伟达 Rubin 平台最高规格的供应商，旨在夺回市场份额。产能方面，尽管三大厂商在 2026 年激进扩产，但受 HBM 良率损耗影响，实际位元增长有限。对于中国厂商，长鑫存储和长江存储产能扩张迅速，预计在 2028-2030 年将构成全球供应威胁，但目前在良率和可靠性上仍有差距。技术路径上，16 层及以上堆叠面临严峻的键合良率挑战，混合键合虽是必然方向但量产稳定性不足，厂商短期内倾向于通过提升引脚速度来维持性能。