高盛韩国存储器专家电话会纪要：DRAM 价格与 HBM 前景展望

本报告为高盛举办的韩国存储器行业专家电话会纪要。核心观点包括：DRAM 价格有望在 2026 年三、四季度持续实现两位数环比增长，受供需紧俏支撑，明年 HBM 价格亦有翻倍潜力。LTA（长期协议）在服务器 DRAM 领域渗透率已超 50% 且具备强约束力。中国存储厂商虽积极扩产，但受限于良率、技术及可靠性差距，短期内对领先厂商威胁有限。尽管当前行业扩产节奏快于历史水平，但受 HBM 产出比例较高影响，整体比特增长（bit growth）预计将低于历史平均水平。针对 HBM 封装技术，专家认为混合键合（hybrid bonding）的规模化量产尚需时日，短期内内存厂商将通过无助焊剂键合等多种方案并行。报告重申了对三星电子（SEC）的买入评级，预计其存储业务将维持强劲盈利能力。