📰 研报摘要
查看全文 ➔本次会议重点讨论了存储芯片（尤其是 DRAM 和 HBM）的超级周期。核心结论认为，AI 驱动的内存周期将打破传统路径，现货价格走强将带动合约价上修，预计 2026-2027 年价格将维持高位。HBM 定价逻辑重构，预计 2027 年价格将达现价 2.5 倍。行业规则由季度博弈转向 2-5 年的长期产能绑定（LTA），且 LTA 覆盖比例持续走高。供给侧方面，尽管三星、SK 海力士和美光大幅扩产，但 HBM 的产能损耗将挤压通用 DRAM 有效产能，导致市场有效容量严重不足。技术上，三星 HBM4 实现量产突破并重新切入英伟达供应链，但封装键合工艺（TCB vs MR-MUF）仍是良率的核心差距，Hybrid Bonding 量产时间将延后。此外，国内存储厂商（长鑫存储、长江存储）虽在稳步扩产，但短期内受限于良率和高端客户认证，预计实质性冲击将在 2-3 年后显现。