高盛韩国记忆芯片行业专家交流纪要

本次报告整理自 2026 年 7 月 28 日高盛举办的韩国记忆芯片专家电话会。核心观点包括：1. DRAM 价格预计在 2026 年三、四季度持续实现双位数环比增长，受供需紧张支撑；2. HBM（高带宽内存）因 conventional DRAM 价格上涨，明年价格潜力巨大，预计三星电子 HBM 价格同比上涨 87%；3. 长协订单（LTA）绑定能力强，目前超半数服务器 DRAM 已被锁定；4. 中国记忆芯片供应商在中短期内威胁有限，受制于产出良率、技术水平及可靠性差距；5. 尽管产能扩张节奏加快，但由于 HBM 占比提升，整体位元增长（bit growth）仍低于历史平均水平；6. 混合键合（hybrid bonding）技术采用预计较为缓慢，企业将寻求 Fluxless 等替代方案以平衡良率与效率。高盛维持对三星电子（SEC）的买入评级，看好其在存储市场的领先地位及 HBM 领域的进展。