📰 研报摘要
查看全文 ➔本次会议聚焦中国存储芯片(尤其是 DRAM)的产能扩张、产品开发及价格走势。会议指出,国内 DRAM 供应商产能持续扩张,预计到 2028 年合肥、上海、北京等地的产能将全面投产,且国产半导体设备(SPE)的采用率显著提升。产品端,国内领先厂商正推进工艺升级,目标在 2026 年实现 HBM3 及 3E 生产,并预计 2027 年在 3D DRAM 研发上取得进展。价格方面,虽然智能手机厂商对成本上涨有抵触,但 AI 强劲需求将支撑 2027 年存储价格继续上涨。基于对国产设备需求的正面预期,建议关注北方华创、中微公司、盛美上海、拓荆科技等标的。