AI 光互联光芯片与光材料行业交流纪要

摘要： 本次会议重点探讨了在 AI 算力需求爆发（如 GB200 集群）背景下，光芯片（EML、硅光、CW 激光器）及新材料（薄膜铌酸锂）的供需格局与技术演进。核心观点认为光芯片目前处于结构性短缺状态，且这种短缺将持续至 2028 年。

行业主线：

1. 需求端爆发：大模型迭代驱动 800G/1.6T 光模块需求激增，GPU 与光模块配比高达 1:4 或 1:5，导致高端光芯片需求极速增长。
2. 供给端瓶颈：光芯片（尤其是磷化铟 InP）由于晶圆尺寸小（2-4 英寸）、集成度低、良率爬坡慢以及上游 MOCVD 设备交付周期长，导致产能扩充速度远低于需求增长。
3. 技术路径演进：短期受益方向为 EML 和 CW 激光器；中长期硅光凭借成本优势渗透率提升，同时薄膜铌酸锂（TFLN）作为下一代超高速调制材料具有巨大潜力。

关键变化与分歧：

1. 短缺周期延长：国际巨头 Lumentum 已开始锁定 2028 年产能，显示供需失衡程度超出市场预期，且非传统半导体周期，而是 AI 革命驱动的结构性短缺。
2. 国产替代机会：在全球供应链紧俏背景下，国内 CW 激光器和 EML 芯片企业具备切入全球供应链并实现业绩弹性的机会。

受益方向与风险：

1. 受益方向：重点关注光模块龙头（中际旭创、新易盛）、光芯片及器件厂商（华工科技、光讯科技等）以及光通信配套设备商（罗伯特科、杰普特等）。
2. 核心风险：产能扩产良率不及预期、下游 AI 资本开支波动、技术路线切换节奏风险。