长鑫科技与 DRAM 存储行业深度研究：国产替代与 AI 驱动下的成长机会

报告深入分析了 DRAM 存储行业在 AI 浪潮下的趋势及长鑫科技的竞争力。行业方面，AI 资本开支持续增加，推理需求驱动存储容量非线性增长，HBM 供应紧张使存储行业由周期性转向成长性。长鑫科技作为国内 DRAM 领军企业，已实现 DDR5 量产，并计划于 2026 年量产 HBM3，通过 4F² 架构创新有望弥补制程劣势。财务数据显示长鑫 2026 年上半年收入与净利润爆发式增长。未来关注其上海新厂投产及技术迭代进度，核心逻辑在于 AI 推理需求爆发下的供需矛盾及国内存储芯片的国产替代空间。