长鑫科技:打破DRAM海外垄断的本土破局者

机构研报 公司研究 / 正式覆盖研报
🔒
登录解锁完整投研深度报告与行情联动: 免费查阅完整机构研报原件、音频转写、五维画像模型与异动监控
立即登录 / 免费注册

📰 研报摘要

查看全文

本报告深入分析了长鑫科技作为国内规模最大、技术最先进的 DRAM 原厂的经营现状与竞争优势。公司产品线涵盖 DDR4/5 及 LPDDR4X/5/5X,深度绑定阿里云、字节跳动、小米等核心客户。报告指出,AI 推理驱动的服务器存储需求爆发是 DRAM 行业超级周期的核心驱动力,长鑫通过在合肥、北京的晶圆厂布局及上海新产能建设,正加速缩小与三星、海力士、美光等国际巨头的制程与产能差距。财务方面,得益于存储量价齐升,公司 2025 年扭亏为盈,26 年盈利呈现爆发式增长。长鑫通过垂直沟道晶体管(VCT)与 4F² 架构创新实现技术突破,在国产化浪潮中占据关键地位。