半导体行业深度:800V DC架构升级与宽禁带功率器件成长空间

机构研报 行业研究 / 行业深度专题 申万: 分立器件
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📰 研报摘要

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报告深入探讨了AI数据中心供电架构向800V DC升级的趋势。随AI算力机柜功率向百千瓦至兆瓦级演进,传统低压供电面临瓶颈,推动供电架构解耦及向高压直流升级。报告分析了800V DC架构的四阶段演进路径:第一阶段侧边柜(Sidecar)引入,推动SiC在AC/DC环节应用;第二阶段板载DC/DC下沉,提升GaN渗透率;第三阶段集中式整流上移至灰区;第四阶段固态变压器(SST)直连中压电网。结论认为,功率半导体在数据中心电能变换环节价值量显著提升,SiC因高压耐受性在Power Rack侧具优势,GaN因高频特性更契合IT Rack侧小型化需求,宽禁带器件长期增长空间广阔。