半导体行业深度报告：功率密度跃升驱动800V DC架构升级，宽禁带功率器件打开成长空间

报告核心探讨AI数据中心功率密度跃升引发的供电架构重构。随着机柜功率向百千瓦及兆瓦级演进，传统低压供电面临瓶颈，800V DC架构通过AC/DC与DC/DC功能解耦成为核心演进方向。报告详细梳理了该架构的四个演进阶段：第一阶段Sidecar引入AC/DC外移，PFC环节SiC器件成为主流；第二阶段DC/DC下沉至计算节点，推动GaN器件渗透；第三阶段中央整流上移至灰区；第四阶段SST直连中压电网。在技术路线中，SiC因高压高功率优势更适用于Power侧，GaN因高频低损耗特性更契合IT侧负载。宽禁带功率器件在电能转换、备电及直流保护等环节空间广阔，建议关注产业链上游材料、功率器件设计及代工相关标的。