存储行业调研:NOR Flash与DRAM供给价格趋势、CUBE技术及小容量存储竞争格局

会议纪要 行业研究 / 行业交流纪要 申万: 半导体 北京君正 (300223.SZ) 兆易创新 (03986.HK) 兆易创新 (603986.SH) 普冉股份 (688766.SH) 东芯股份 (688110.SH) 聚辰股份 (688123.SH) 恒烁股份 (688416.SH) 江波龙 (301308.SZ) 德明利 (001309.SZ) 紫光国微 (002049.SZ)
🔒
登录解锁完整投研深度报告与行情联动: 免费查阅完整机构研报原件、音频转写、五维画像模型与异动监控
立即登录 / 免费注册

📰 研报摘要

查看全文

本调研纪要围绕存储器行业展开,重点探讨 NOR Flash、利基型 DRAM(DDR3/DDR4)及 SLC/MLC NAND 的供需格局与价格走势。

  1. NOR Flash:受供给端紧张(旺宏扩产暂停、美光实行SCA限制车规产能)驱动,大容量NOR Flash价格持续上涨,AI服务器(如NVIDIA平台)需求旺盛;小容量产品则面临市场分化及终端需求疲软。
  2. 利基型 DRAM:三星、海力士及美光持续削减利基产能以优先满足AI业务,导致DDR3/DDR4供需严重失衡,预计2026年第四季度至2027年价格仍处于高位上涨通道。
  3. SLC/MLC NAND:三星退出2D MLC市场导致行业供给出现巨大真空,MLC市场面临严峻缺货,预计2027年价格涨势不减。
  4. CUBE技术与竞争:CUBE作为客制化超高带宽元器件,受制于Fabless厂商产能获取瓶颈及复杂的封测生态,商业化进展较预期放缓。

结论认为,存储大厂基于战略考量将产能向高端及高毛利产品转移,导致中低端及利基型存储市场供给收缩,产能缺口预计将延续至2027年。