中芯国际N+3工艺实测对比与大陆晶圆制造行业分析纪要

本次会议重点分析了中芯国际N+3工艺（用于华为麒麟9010芯片）的实测数据，并将其与台积电N6和英特尔18A工艺进行对比。实测显示，N+3在最小金属间距和晶体管密度上表现优于台积电N6，但其实现路径依赖多重图案化工艺和设计工艺协同优化（DTCO），导致生产成本更高且良率控制难度大。在核心性能与功耗方面，N+3与国际领先制程仍存在明显代差，能效比差距显著。会议认为，尽管出口管制限制了EUV设备的获取，但相关技术经验正在国内产业内扩散，只要产品达到“可用”水平，即可满足国内AI加速器、网络芯片等关键领域的自主可控需求。