2026年2月高盛 DRAM 情绪指标：短期合约价格预期持续向好

摘要： 高盛 2026 年 2 月的 DRAM 情绪指标显示方向温和积极（与 1 月持平），整体预示短期内 DRAM 合约价格将持续改善。

核心数据变化：

1. 价格溢价：DDR5 和 DDR4 现货价格较 1 月合约价分别维持 34% 和 132% 的高溢价，暗示合约价上涨概率高。
2. 出货与营收：1 月韩国 DRAM 出口额同比大幅增长 167%；南亚科技（Nanya Tech）1 月营收同比激增 608%；服务器 ODM 厂商 1 月营收同比增长 91%，受 AI 服务器出货量爬坡驱动。
3. 终端需求：12 月中国智能手机出货量同比下降 29%，预计 1Q26 将继续下滑 10%，主因内存价格上涨抑制终端需求。

边际解读/市场影响：

1. 供需关系：DRAM 和 HBM 的供需关系预计将更加紧张，内存厂商的定价能力增强，利润有望达到历史高位。
2. 分化趋势：服务器相关内存需求依然强劲，但 PC 和智能手机等消费端需求存在下行风险。
3. HBM 观点：高盛认为 HBM 出货量增长将高于共识，但对 HBM3E 12-Hi 的定价持有比市场共识更保守的看法。

后续关注与风险：

1. 关注重点：合约价格谈判的最终结果、HBM 定价的实际走势以及 AI 资本开支的持续性。
2. 核心风险：内存供需关系恶化、智能手机利润率大幅收缩、技术迁移延迟以及 AI 相关资本开支降低。