电子行业周报：长鑫科技启动 IPO 助力 DRAM 国产替代

摘要： 本周电子板块整体呈现震荡回调态势，但存储赛道受 AI 算力需求驱动维持高景气。报告重点分析了长鑫科技启动科创板 IPO 的影响，其拟募资 295 亿元用于 DRAM 产能扩充与工艺迭代，将显著强化国产替代逻辑。同时，三星、美光等海外巨头受益于 HBM 需求放量而业绩大幅爆发，但长期扩产可能加剧行业供给竞争。

行业主线：

1. AI 驱动存储高景气：AI 基础设施建设推动 HBM 及 DRAM 需求快速放量，带动存储芯片进入涨价周期。
2. 国产 DRAM 替代加速：长鑫科技通过 IPO 大额募资加速工艺迭代与产能升级，旨在提升全球竞争力并拓宽国产替代空间。

关键变化与分歧：

1. 海外龙头业绩爆发：三星 Q2 营业利润大幅增长，验证了 AI 算力对存储端盈利弹性的强拉动作用。
2. 全球供给格局演变：美光上调美国本土投资规划，长期海外产能投放增加可能对国内存储厂商产生挤压，但也将倒逼国内国产替代进程。

受益方向与风险：

1. 受益方向：存储制造、元器件分销、存储模组等国产存储全产业链。
2. 核心风险：海外大厂扩产导致行业价格战，挤压国内厂商空间；国产工艺迭代及良率爬坡进度不及预期。