全球存储科技周度主题：存储超级周期延续与AI驱动的HBM增长

摘要： 本报告分析了全球存储芯片（DRAM、NAND）的行业走势，认为存储行业正处于一个结构性的“超级周期”，预计将持续至2027年。核心驱动力来自于AI服务器对高带宽内存（HBM）的巨大需求以及传统存储价格的触底回升。

行业主线：

1. 超级周期确认：BofA存储指标处于历史高位，DRAM和NAND营收预计在2026年实现近四倍增长。
2. AI与HBM驱动：HBM市场规模预计在2026/27年分别达到770亿和1350亿美元。下一代GPU（如Rubin和Feynman系列）将显著提升单卡HBM容量，甚至突破1TB。
3. 价格回升：DDR5和DDR4现货价格均处于高位，尽管短期有回调压力，但整体基数远高于历史周期峰值。

关键变化与分歧：

1. 三星股价与基本面背离：尽管2Q业绩强劲且AI需求旺盛，但市场对芯片订单削减和中国厂商产能扩张存在担忧，导致股价回调。
2. 长鑫存储（CXMT）IPO进程：CXMT计划于7月16日启动IPO认购，虽然产能规模大，但预计高端产品仍由非中国厂商主导。
3. 南亚科技（Nanya Tech）业绩反转：得益于传统DRAM（DDR3/4）的短缺和ASP上涨，南亚科技实现高利润率回升。

受益方向与风险：

1. 受益方向：具备HBM量产能力的头部厂商（三星、美光、SK海力士）以及在传统DRAM领域具备成本优势的厂商（南亚科技）。
2. 核心风险：传统DDR4需求向DDR5转移速度快于预期、中国存储厂商产能扩张冲击、终端消费电子复苏不及预期。